| 品牌 | 东芝 | 型号 | MG25Q6ES50A MG25Q6ES51 MG25Q6ES51A | 封装 | MG25Q6ES50A,MG25Q6ES51,MG25Q6ES51A |
| 批号 | 19 | IGBT类型 | 1 | 配置类型 | 1 |
| 集射极击穿电压(VCEO) | 1 | 最大集电极电流(Icm) | 1 | 集电极截止电流 | 200 |
| 最大耗散功率 | 200（mW） | 工作温度范围 | 36 | 安装类型 | 1 |
| 应用领域 | 电工电气 |
MG25Q6ES50A MG25Q6ES51 MG25Q6ES51A东芝原装IGBT模块
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